1.DCDC转换IC功率电感选择一体化那种电感好还是那种裸露的电感好？
2.如果使用一体化那种屏蔽电感会不会有散热的问题？
3.电感量的选择与根据公式算出来的相比，一般要留多少的余量？是越大越好呢？还是有一个折中的值？
您好，功率电感选型问题已经在其他帖子中给出解答，链接如下：
对于温升问题有相关的模型，或者计算公式吗？
对于需要添加外围mos管扩流的DCDC，MOS管的选择有什么要求？
温升相关的计算公式请查看如下链接：
超过DCDC芯片规格的应用，建议选择更大电流能力的DCDC芯片或直接选用外置MOS控制器方案，MOS管的选型需要关注VDS耐压，ID最大通流能力，Rdson与Qg，Vgs等信息。
感谢您的提问！
按照你说的 发热主要来自于开关损耗与导通损耗，但是减低开关频率的话，这又会造成电感体积的增大，这之间应该怎么样衡量呢？特别是充电器之类的，一是密封的散热没有那么好，二是电感体积过大的话，结构就放不下了。
Rdson Vgs 这个参数好理解 一个是跟损耗有关的，一个是导通电压有关的。Qg参数在外置MOS管的方案里主要是考虑那个方面的呢？ 同时谢谢你的耐心解答！
Qgs应该是根据工作频率有关？
“总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。”
单位为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。开关频率越高，开关损耗越大，此时需要选Qg较小的MOSFET。
DCDC IC工作的时候， 控制的MOS管 处于开关状态，是不是不需要考虑MOS管的k IC工作的时候， 控制的MOS管 处于开关状态，是不是不需要考虑MOS管的跨导值Gm？
一般不会考虑这些因素。MOS的选型以VDS，ID，Rdson，Vgs，Qg为主。
贵公司的屏蔽式电感与一体成型电感，这两种电感有什么区别？可以做功率电感吗？
一体成型电感的软饱和，是什么意思？作用是什么？
当电流增加到一定程度后，电感量就不会急剧下降了，这就称为软饱和特性。可提高系统的稳定性。
一体成型电感，使用的也是塑料封装，对磁场并没有屏蔽作用，为什么EMI会比半屏蔽的电感好呢？
您好！一体成型电感并不是塑封封装，而是将绕组埋入金属磁性粉末内部压铸而成，表层封裝脚从侧面引出，然后回弯形成。
一体成型优势：
• 采用低损耗合金粉末压铸，低阻抗
• 小体积，大电流，在高温下能够保持优良的温升电流及饱和电流特性
• 采用一体成型结构，坚实牢固，磁路封闭、具有良好的的磁屏蔽性和EMI性能
一体成型电感体积小，焊盘在底部，可以有效减小SW节点面积，减小耦合电容，如下图。使用了一体成型电感且减小SW铺铜面积之后，辐射降低了7dB。
一般在实际的设计中，是不太会考虑此类问题的。
或者说，不太在意或者关注这几个地方。