您好！MPS充电器方案非常多，您可以直接在MPS官网上选择合适的方案进行设计。
充电器 - 电池管理 - 产品 (monolithicpower.cn)
感谢您对MPS的支持！
“总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。”
单位为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。开关频率越高，开关损耗越大，此时需要选Qg较小的MOSFET。
DCDC IC工作的时候， 控制的MOS管 处于开关状态，是不是不需要考虑MOS管的k IC工作的时候， 控制的MOS管 处于开关状态，是不是不需要考虑MOS管的跨导值Gm？
一般不会考虑这些因素。MOS的选型以VDS，ID，Rdson，Vgs，Qg为主。
贵公司的屏蔽式电感与一体成型电感，这两种电感有什么区别？可以做功率电感吗？
一体成型电感的软饱和，是什么意思？作用是什么？
当电流增加到一定程度后，电感量就不会急剧下降了，这就称为软饱和特性。可提高系统的稳定性。
一体成型电感，使用的也是塑料封装，对磁场并没有屏蔽作用，为什么EMI会比半屏蔽的电感好呢？
您好！一体成型电感并不是塑封封装，而是将绕组埋入金属磁性粉末内部压铸而成，表层封裝脚从侧面引出，然后回弯形成。
一体成型优势：
• 采用低损耗合金粉末压铸，低阻抗
• 小体积，大电流，在高温下能够保持优良的温升电流及饱和电流特性
• 采用一体成型结构，坚实牢固，磁路封闭、具有良好的的磁屏蔽性和EMI性能
一体成型电感体积小，焊盘在底部，可以有效减小SW节点面积，减小耦合电容，如下图。使用了一体成型电感且减小SW铺铜面积之后，辐射降低了7dB。
一般在实际的设计中，是不太会考虑此类问题的。
或者说，不太在意或者关注这几个地方。
一般对EMI和体积要求较高的设计才会使用一体成型电感。
也就是说Qg大 需要的充电时间就长，开关时间就长，mos管处于放大状态的时间就长，这样的话那个导通的损耗就不是Rds的损耗了，是这个意思吗？
Qg是影响MOS开关速度的因素。在相同驱动能力下，Qg越大，MOS开关的时间越长，电压和电流交叠的区域就越多，开关损耗就越高；反之Qg越小，MOS开关越快，开关损耗会越低。
DCDC 电源，电压与电流最理想的状态下，相位大概能差多少？有计算公式吗？这个跟外部电容与功率电感的选择有没有关系？
谢谢解惑 如果选择贵公司的半裸露的电感，长期与空气接触，会不会存在氧化的问题而导致电感量产生变化？
不会的，电感绕线是漆包线，即使存在表面氧化问题，也发生在绝缘的漆皮上。绝缘漆皮不导电，因此对电感量不产生影响。
2 个赞
请问，对于该部分设计时，如何解决散热问题？
感谢您在MPS论坛上留言。对温度环境要求较高的系统，一般建议：
1.功率网络回路多进行直接铺铜设计
2.画多层板，GND网络多层大面积铺铜并多打GND网络过孔
3.建议选择TG-150或TG-170等更高级散热板材进行PCB印制
4.增加外层铜箔厚度至2oz
5.提供风冷系统：带风扇排出热气
以上操作可以有效改善系统温升，提升整体板面散热能力。
1 个赞