在调试开关电源，尤其是电流模式控制的反激电源时，很多工程师会遇到这样的现象，电源带载能力极差，或者一上电就打嗝，也就是Hiccup，但检查电流采样电阻并未发现过流。
这背后的罪魁祸首，往往就是被忽视的Blanking Time。
在电流模式控制的开关电源中，控制器依赖检测流过MOSFET的电流，通常通过采样电阻Rcs将电流转化为电压Vcs，来决定何时关闭开关管。
看似简单的逻辑一一"当电流达到设定值就关断”，在实际应用中一般是有问题的，原因就是开通尖峰的存在。而前沿消隐时间Blanking Time就是为了解决这个问题而生的关键机制。
Blanking Time，学名叫"前沿消隐"，是指在开关管MOSFET导通的最初一段时间内，PWM控制器强制忽略电流采样引脚CSPin上的信号。
如果没有这段"前沿消隐"，控制器会把开通瞬间的噪声误判为过流信号，导致MOSFET刚打开就被立即关断，电源根本无法正常工作。
那尖峰电流从何而来？
为什么MOSFET开通瞬间会有巨大的尖峰？这并非负载导致的，而是由寄生参数决定的。主要来源有三：
1.在反激拓扑中，MOS开通时，次级整流二极管正处于导通状态。此时二极管需要从“导通”变为“截止”，这个过程需要抽取电荷，表现为二极管在极短时间内"短路”。这个电流折算到原边，会形成一个巨大的电流冲激。
2.关断期间漏源电压Vds很高（Vin + Vor），开通瞬间Coss储存的能量通过Rcs瞬间释放。变压器原边绕组的层间电容也会在开关瞬间产生充放电电流。
3.PCB走线上的寄生电感与上述电容在du/dt极大的瞬间发生高频谐振。
首先Blanking Time实际上设定了MOSFET的最小物理导通时间，因为在消隐时间内，无论电流多大，控制器都不会关断MOS。
在轻载或空载时，电源需要的占空比极小。如果消隐时间设置得过长，导致ton_min大于负载实际所需的导通时间，每个周期传输的能量就会过剩。输出电压会漂高，或者迫使电源进入深度跳周期模式，产生低频纹波甚至啸叫。
其次当输出端发生硬短路或变压器饱和时，电感量L骤降，电流斜率di/dt=Vin/L 会变得极大。
如果Blanking Time太长，在消隐期结束前，电流可能已经上升到了 MOSFET的饱和电流。此时控制器还在"闭眼”状态，等它睁开眼想关断时，可能已经来不及了。所以对于高频或低感量的设计，必须严格控制 Blanking Time，或者选用带有二级过流保护SOCP功能的芯片。
