由Buck基本原理可知，SW的高电平约等于VIN电压，就算是带8A负载，压差也只有0.26V左右。
您图中SW高电平已经有1V的压差，需要核实：
（1）上管电阻阻抗是否正常（板子散热条件如何？芯片温度是否在70度以内？如果板子散热条件较差，也会导致MOSFET阻抗增加）
（2）电感是否饱和？（电感饱和导致电感电流过冲至Ilimit最大值附近，ILmax=8A*1.3倍=10.4A，需要选择饱和电流大于10.4A的1.5uH电感）
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发热确实挺大的，这种封装的器件，关于散热有什么推荐的吗，还有EN管脚的分压问题，麻烦看一下
跟EN没有关系，散热与板材和铜箔厚度有关。PCB的GND过孔不够散热也会被限制。
我不是说带载能力和EN有关，而是咨询另一个问题，EN的设定电压，不是单纯通过两个电阻分压计算而来。
关于带载能力，确实我这边测试发热比较严重，我刚才给芯片加了散热片，然后旁边加一个风扇吹，可以跑到8A的，9A的话，就带不动
关于NB679的热保护，是不是可以理解为过热就会保护关断，当温度降下来后，就会重新开启软启动，然后重新工作。那么此时如果是由于NB679过热导致带载（8A带不动），应该是关断一段时间，待芯片冷却后，重新正常工作。是这样理解的吗
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您好，NB679的热保护是可以自恢复的，当芯片结温温度下降至115度左右后，芯片会再输出负载需要的功率。NB679仅支持持续8A负载输出，不能持续带9A负载，规格书中描述的10A峰值电流是瞬时的电流，需要依靠PCB板与散热器进行散热才可能实现瞬时的10A峰值带载。
NB679过温保护波形与自恢复波形如下：
关于EN分压设置问题，NB679内部是没有EN分压电阻的，直接通过外部电阻进行分压计算。按照如下公式计算，满足NB679规格书中要求的使能电压阈值或直接进行EN上拉至VIN时，EN管脚需要限流要求即可。
关于两个电阻取分压电压时，我这边实测电压是这样的。1M上拉，280K下来：1、9V输入时，分压为1.416V；2、12V输入时，分压为1.885V；3、24V输入时，分压为3.772V。测试下来不是纯电阻的分压效果，请问内部的这个齐纳二极管的齐纳电压是多少。
按照pull-up方式，只有一个上拉电阻，那么EN处的电压是多少？
您好！您可以直接用万用表测量板上EN上下分压的实际阻抗，正常EN内部是高阻状态，不会影响外围分压。若直接通过1.5M电阻直接上拉，EN管脚会被内部稳压管钳位住，应该会保持在4.5V耐压值之内。
NB679 EN比较特殊，它还可以用来设置USM的工作模式。具体EN的设置规格书中有详细介绍：
通过断电静态测量上拉和下拉的实际阻抗，也测不出来的。实际是1M的上拉，280K的下拉，但是在板上测阻抗是上拉144K，下拉168K。
那需要您排查板上阻抗异常的原因，重新焊接或者排查是否有其他电阻的连接。EN里面是高阻。
NB679在跑到8A的情况下，是否一定需要加散热片，有没有不加散热片依然稳定工作于8A负载的案例？
我重新设计了一版PCB，单纯的电源板，对于PCB布局布线的散热作了特殊处理，也将功率电感换成了热电流15A，饱和电流27.5A的IHLP4040DZER1R5M01，但是在8A负载带载使用1分钟左右的时候，明显感觉NB679背部（bottom层）发热厉害，然后输出的5V就断掉了。然后等待了很久（这个时候NB679的板子明显冷却了），也不见NB679能够恢复输出（我是理解NB679由于热保护关闭了，但是冷却后依然没有恢复）。
请问您这个是什么项目？
目前NB679这是几层板？EVB是4层板设计，散热会比较好。是否有抓取到芯片保护时的具体温度？
后级负载是什么负载？8A怎么带上去？
有没有保护瞬间的波形？类似SW, Vo,IL,Vin等波形，按照下面图例来抓取，需要先确认芯片进入什么保护：
您好！您5V输出过孔没有使用铺铜，仅用连线进行连接是不能走8A电流的，建议您直接在输出电容两端拉载看看是否能正常带载8A。
建议您直接在MPSNOW平台提交在线调试的申请表单，会有专门的工程师与您联系。链接如下：
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5V输出是连接器，在焊接连接器的过程中，会对过孔进行加锡焊接的。
好的，我操作一下在线调试的申请表单，谢谢
