关于mp9928外置驱动氮化镓器件问题

问题如下:
1、MP9928 能否用一个半桥的驱动器,驱动2个上下氮化镓功率管?(目前用的MOS管,发热太严重,由于我的结构受限,不能使用太大的散热器。)
2、这样做的目的是否能提高效率?频率设置在500K-800K。
3、输入DC48V,输出24V,10A。
望回复!谢谢!

您的意思是用MP9928的驱动输出作为PWM信号给GaN Driver,然后再驱动GaN吗?
选择sink/source驱动能力更强的controller或者dual phase buck controller可以应对散热问题。

是的,这样能提升效率吗?

通过GaN减小开关损耗来提升效率是途径之一,不过这套方案是否可行,需要验证。
同时MP9928的TG是相对于SW的信号,是浮地的信号,怎么将其送给GaN Driver是个问题。如果你的GaN Driver是自带死区的,仅有单端PWM输入的,可以用MP9928的BG去给信号。
开关频率500-800k太大了,100k左右可能比较合适。
建议还是采用多相的方式吧。

您MOSFET的Qg和Rdson是多少呢?
输出24V@10A的条件下,是否可以选60V/50A的mosfet,这种一般10nC的Qg,是MP9928的能力范围,您可以看看把开关频率降低再试试看。

1 个赞

好的 谢谢!