在400V平台电动汽车的普及之下，制约电动汽车的发展的因素有：
1、充电速度慢，2、能耗比较快，产生里程焦虑。
这时800V平台应运而生，为了解决这些问题，1、配备了快充，降低线缆粗细，能够降低车辆的重量。2、SiC MOSFET主驱逆变，降低开关损耗，通态损耗，更小的电池能够完成同样的里程数，大电池能够有效提升续航。
那么作为电驱研发工程师，这次分享一下我们项目当中的很关键的一部分：母线高压采样
首先，母线电压为800V高压平台采样的难点，之所以说是难点的原因是在PCB设计之初，比400V平台设计要多考虑高压爬电距离，要考虑绝缘耐压，要考虑隔离等级，共模抑制比的情况。
刚开始设计的时候，采用的隔离DCDC，进行采样信号电源供电隔离，避免隔壁高压穿入低压区域。（本处推荐0505的MPS隔离DCDC Module，非常好用，体积小，同等isolation电压等级，体积只有SOIC-16，支持Automotive AEC-Q100）
其次就是隔离差分运放，提升抗干扰的能力，更高共模抑制比，使得采样更加精准。
隔离差分运放后级依旧是差分放大运放，分离出所需要的采样电压。信号末端接到MCU上进行ADC采样
在PCB设计的时候，位置很挤，但是隔离一定要做好，高压区域仅能放置高压分压电阻，而且照顾爬电距离，注意计算好分压比，需要实际搭电路测试，不能直接搬到Layout上，到隔离差分运放处电压不能太高，否则会击穿隔离差分运放。而且隔离DCDC和隔离差分运放（底下开个隔离槽）最好做好隔离槽，避开原副边的互相穿入。
在焊接的时候，需要注意隔离区域开了槽，会漏锡到隔离DCDC底部以及隔离差分运放。而且焊接的温度，无铅焊锡也要注意温度和时间，不宜长时间焊接。
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