通过隔离屏障的寄生耦合可能不是击穿的唯一原因。来自开关节点的电压也可能通过晶体管自身的寄生耦合耦合到晶体管的栅极。这种耦合通常由 MOSFET 的等效寄生电容（称为米勒电容）产生。米勒电容在高频、高压开关中会引起严重的问题。因为电容存在自然高通行为，高频电压会通过米勒电容耦合，绕过 MOSFET 栅极和沟道之间的隔离屏障。
这意味着电流将流过栅极节点，为栅极充电并可能触发开关。一旦发生这种情况，总线电压和 GND 之间就会建立起一条直接的路径，导致直通电流和变换器效率损失。
有源米勒钳位是由一个比较器和一个附加 MOSFET 组成的低阻抗路径。当上管 FET 导通时，它将下管 FET 的栅极连接到地。该过程将通过米勒电容的电流从栅极重定向到地，从而降低了栅极电荷并避免了不需要的栅极驱动。图 3 展示了带与不带米勒钳位时的开关半桥瞬态交叉传导原理。 其中图 3a 为没有米勒钳位时的原理图；图 3b 为带米勒钳位时的原理图。
通过图形并茂的讲解使我非常清楚的明白隔离式栅极驱动器保护的重要性以及DESAT的作用，确实如上图能够有效防止问题问题发生！