当前电源系统的趋势为高集成化、高压化、高频化和高可靠性：电源系统正往更高集成度的趋势发展，因此也需要更高集成度的IC，例如将电源和数字隔离器集成在一起，以降低工程师设计隔离电源的复杂程度。光伏系统已从800V转到1500V，第三代半导体的应用也越来越广泛，系统开关频率越来越高，速度越来越快。隔离产品需要有更高的CMTI能力，能承受更高电压，EMI性能更好。
同时，电源系统存在应用难点：第三代功率器件对驱动芯片提出了更高的要求，如CMTI大于100kV/μs水平。由于碳化硅驱动电压更高，要求驱动器输出电压范围摆幅更宽。此外，产品开关速率要更快，并降低开关损耗，驱动器具有输出更大的Source或Sink电流能力，芯片内部上升或下降时间更短，传输延时更小。碳化硅驱动芯片的新功能是“米勒钳位”，随着SiC的开关，桥臂中点有很大dv/dt，下管Cgd电电容会产生一个米勒电流，即使下管处于关断状态，也会通过下管关断电阻产生一个压降。考虑到碳化硅器件的导通阈值比较低（2V左右），如果压降较大会造成下管误导通，系统就会有短路风险。
1 个赞