你好，最近在弄一个反激电源，开关芯片选用的是HFC0500，同步整流选用的是6908，目标功率是75W，在测试的时候，在66W之前，副边侧的VDS和VGS电压都还算正常，但是再往上增加功率，就会出现高尖峰。同样的板子改成二极管整流，就没有这个问题，麻烦指导一下，谢谢！波形图和原理图如下：
66w出现高尖峰
高功率以上的G极尖峰图
低功率的G极跟VDS极电压波形图
同步整流部分原理图
同步整流部分Layout
66w出现高尖峰
高功率以上的G极尖峰图
低功率的G极跟VDS极电压波形图
同步整流部分原理图
同步整流部分Layout
第二张图弄错了，是VDS的电压
你给的这个设计是规格书里的第一种接法，我也试过，也是一样会出现这个现象，还有你给的EVB中，RS2的阻值是不是小了，我也用过这个阻值，但是炸了我几个SR，后来把它改为300R以上就不会炸了。另外，能不能帮忙指导一下你这种接法，跟我原理图设计的这种接法有什么区别呢？
您好，您的原理图是自己设计的吗？是否有参考MP6908的参考设计文件？R18的作用是什么呢？我们参考设计上并没有R18电阻。
不同的HVC的接法决定了不同的Gate的开关模式，需要结合您的MOS进行设计：
另外您提供的Gate信号测试波形表明芯片在原边MOS导通下可能会触发共通风险，需要将R32电阻增大至200k来增加Tslew消除芯片误判断（DCM模式工作下，Gate不出现尖峰电压）。规格书第十页有详细描述：
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hi，原理图是参考6908规格书的，R18的作用是给mos管的寄生电容提供一个接地的通路，防止一些误触发之类的，前两个版本是没有这个电阻的，后面加上去的。然后按我这个接法的话，Gate的开关模式是什么？还有那个R32的电阻，从100-390K的都有换过。你帮忙看看是否还有哪里需要注意的，我这边今天再按你的建议继续调试，再看有啥问题。
早上根据你提供的EVB方案修改了 SLEW电阻220k，副边mos加RC10Ω和2.2nF，副边的Vgs和Vds电压波形还是跟之前一样，没多大改善，如下图：
Vgs的这些杂波有没有什么方法可以消除？
Vds的这个尖峰你们有遇到过吗，是哪里来的干扰。
hi，早上抓了一下原（蓝色波形）、副（黄线波形）两边的G极开关波形，发现在重载的情况下，两边出现开通临界点，个人觉得该尖峰应该是由此影响产生的，不是满载的情况下就不会，如下两图。
上面这个图是功率高于65W以上出现的。
上面这张图是低于65W两边G极的波形。
现在想请教一下，是否可以整改哪个地方，让副边的G极关断时间早一点？以防止交叉导通。
