我對 谷電流限制有疑問。 我怕引起誤解，所以在編輯了一張圖供大家參考。
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您能否告訴我下面的波形是否解釋了過流期間的谷值電流限制？
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您能告訴我Current Limit (Low side negative)是如何定義嗎？ 電流是否從低側LFET 的源極到漏極的方向？只有在FCCM條件下才會觸發嗎? 為什麼我們在進行INTEL DVID DOWN時容易觸發?
您好！
1.第一个图红色虚线是谷值电流限保护：检测电感电流谷值超过最大限值后，芯片将闭合下管降低电感电流。
2.负向电流限是根据下管管子能力决定的，是FCCM模式下特有的一种控制方式，当电感电流到0后，下管继续打开，输出电容对功率电感反向励磁，电流方向与buck电路的续流方向相反（为漏极流到源极），负向电流限将保护下管不会因为负向电流过大而烧毁。intel DVID测试是恒流模式下输出电压发生跳变，一般不会触发到负向电流限。
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Hello Fay,
感謝您的回覆.
我看到網路的一些波型在DVID DOWN時, 輸出電壓並不是很乾淨的下降, 而是有爬升再下降循環幾次, 才到目標電壓值.
當DVID DOWN開始,電感電流到0後，下管繼續打開，輸出電容對功率電感反向勵磁,負向電流發生觸NOCP值, 下管關閉同時上管開通200ns抑制負向電流(VOUT抬升)直到沒有觸發NOCP為止, 對嗎? (參考MP86962說明)
此時VR送進PS的PWM還是為LOW?
但上管/下管的開啟是PS自己換流還是VR控制?
您好！您图中波形前半段为fast decay，后半段斜率比较缓为slow decay， fast down和slow down是Intel要求的。图中锯齿波形可能是负载比较轻也有可能是工作在DCM的状态，或者是decay down模式就是上下管都不动作让负载自放电了，会斜率比较慢一些。
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Fay,
非常謝謝你的說明