本用例将介绍 MPQ5850-AEC1 在高级驾驶辅助系统 (ADAS) 中的应用。
MPQ5850-AEC1 用于保护汽车 ADAS 在反向输入或线路交叉的情况下免受不可修复的损坏。
ADAS 系统广泛应用于电动汽车和自动驾驶汽车中。它集成了各种技术，用于增强驾驶体验与安全性。ADAS 中用到的组件通常很复杂也很重，因此保护系统免受最坏情况下电池瞬变（如负电压或反向电流）的影响非常关键。
MPQ5850-AEC1 位于汽车电池与电子设备之间，它可以替代肖特基二极管驱动外部 N 沟道 MOSFET，使电流平稳流向车内电子设备。如果出现反向输入，MPQ5850-AEC1 会拉低 GATE 引脚以快速关闭 N 沟道 MOSFET。MPQ5850-AEC1 可保护汽车 ADAS 在反向输入或线路交叉的情况下免受不可修复的损坏。
此外，MPQ5850-AEC1 具有超快响应时间，可实现高达 100kHz 的交流频率整流。该器件还提供 20mV 的超低系统压降，并支持低至 0V 的冷启动条件。MPQ5850-AEC1 采用紧凑的 TSOT23-8 (2mmx3mm) 封装提供应对汽车瞬变的强大保护功能，同时最大限度地降低了功耗并减小了电路板尺寸。
MPQ5850-AEC1 具备以下附加功能：
- -36V 阻断电压
- 高达 42V 的负载突降
- 强大的栅极驱动能力：170mA 上拉电流和 430mA 下拉电流
- 待机模式下的 4μA 低静态电流 (IQ)
- 稳态下的 30μA 低静态电流 (IQ)
- 集成升压变换器
- RES 失调、快速上拉和器件禁用的电源正常 (PG) 指示
- 符合 AEC-Q100 等级 1 级认证
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