在计算开关功耗时，有的datasheet里有ton，toff，tr，tf四个参数，有的只有ton和toff。
请问计算时，有四个参数时，是需要将ton和tr，toff和tf加起来计算吗？
您好，开关损耗发生在上升沿和下降沿期间，也就是Mosefet手册中的rising time& falling time，需要注意的是，手册中的数据是有测试条件的，一般仅供参考；您提到的on time和off time是指的Mosefet手册中出现的吗，那应该只有on delay time和off delay time吧，这是一个传播延迟，和开关损耗没有关系，谢谢！
1 个赞
在MPQ4371的手册中，只有minimum ON/OFF的时间，没有tr和tf。
另外在贵司的技术文档：https://forum.monolithicpower.cn/t/topic/4634中，算开关损耗用的是ON/OFF的时间。
在别的技术文档里，算开关损耗用的是tr和tf。
希望能澄清下，4371的开关损耗计算参数。
您好，电源小课堂里的提到的on time指的就是打开所需的时间，也就是rising time，可以看到视频里提供的算例取的值也是对应参数，off time 同理：
而对于MPQ4371手册中的on time，指的是SW上管开通之后维持高电平的时间；off time指的是SW下管开通之后维持低电平的时间。这两个参数是用来计算最大和最小占空比的，和开关损耗没有关系；集成开关管的IC一般不提供内部开关管的开通和关断时间，但会提供开关管的导通电阻供简略计算导通损耗，完整的损耗分析主要靠测试实现，谢谢！
1 个赞
“集成开关管的IC一般不提供内部开关管的开通和关断时间，但会提供开关管的导通电阻供简略计算导通损耗，完整的损耗分析主要靠测试实现。”
导通的损耗一般都是远小于开关损耗的，一般在设计时会同步进行worse case计算，需要知道芯片的功耗情况，评估是否需要加散热措施。因此不能等到实际产品贴装后再测试，然后再评估散热。 这些参数是不是需要咨询FAE？
您好，手册中会提供Demo板多种条件下的效率参数，如果实际应用条件接近，通常可以得到一个比较准确的损耗信息，再结合热阻参数，是可以评估散热的；手册中也提供了Demo板的温升曲线供参考，实际应用主要考虑外围器件损耗差异以及散热条件差异；也可以尝试联系FAE对具体应用条件进行评估，谢谢！
1 个赞
OK，非常感谢答复。