一、芯片核心架构与电路设计特性验证
（一）芯片核心架构
MIE1W0505BGLVH 芯片采用 LGA-12（4mm×5mm）封装，集成了电源 MOSFET、变压器及反馈电路。
其容性隔离技术通过内部电容传递反馈信号，无需光耦，适用于对体积和寿命要求较高的应用场景。
由于测试环境条件有限，针对手册上的一些性质，进行了下面简化的测试：
- 隔离阻抗测试：使用万用表测量输入与输出之间的电阻，测量结果显示大于 20MΩ(最大量程)，证明芯片具有高隔离阻抗。
（二）动态电压调节机制
芯片采用滞环控制机制，当输出电压（VOUT）低于设定阈值时启动，高于阈值时停止工作。
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测试条件设置：将电源电压设置为 5V，连接负载电阻为 25Ω（对应电流为 198mA）。
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电压波动监测：使用万用表监测输出电压（VOUT），记录电压波动范围。测试结果显示电压波动范围在 ±0.1V 以内，符合芯片设计规范。
（三）保护功能验证
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短路操作：使用镊子短接 VOUT 与 GND2，使用万用表的电流档测量输入电流。测量结果显示输入电流限制在 238mA 左右。
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恢复测试：移除短路后，手动计时观察 VOUT 的恢复时间。测试结果表明，VOUT 在 2 秒内恢复正常。
以及过温保护测试
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测试条件设置：将负载电阻设置为 25Ω，连续运行 30 分钟。
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温度与保护动作监测：用手触摸模块表面，感受温度变化。手册上表明当温度接近 150℃（缺少温控箱进行验证）时，触发过温保护，VOUT 下降为 0V。冷却后，模块自动重启，恢复正常工作。