H桥芯片 是一种用于控制电机的正反转、启停和速度的芯片，内部通常集成4个功率MOSFET，并排列成“H”字形电路结构，因此称为“H桥”。它是电机驱动中的核心器件。
1. 结构
我们以MPS的MPQ6614为例介绍一下H桥芯片，芯片的Block图如下，内部主要是由H桥、电荷泵、逻辑模块、驱动模块和电流采样模块构成。
一般的H桥都是如下结构，由四个NMOS构成，桥臂上端接电源VCC，下端接GND，引出左侧桥臂的中点做OUT1，右侧桥臂的中点做OUT2。
当需要电机正转时，控制Q1和Q4导通，电流正向流动，反转时，控制Q2和Q3导通，电流反向流动。
而电机需要停转时有两种方式，一种是让四个MOS都关断，电机线圈没有形成回路，自然旋转很长时间后自动停转或者反电动势高于VCC，电流通过MOS的体二极管消耗，实现类似快速制动的效果；另外一种是打开Q3和Q4两个下管，让电机线圈与GND形成回路，这种条件下电机旋转形成反向电动势抑制旋转，进入慢速制动的状态。
当然除了这四种控制模式外，还有些芯片会有其他的控制方式，例如将Q2和Q3常闭，通过PWM的高电平直接控制Q1与Q4导通实现正传，PWM的低电平直接将Q1和Q4也关闭，这样电流就通过Q2和Q3的体二极管回流快速消耗电流实现快速制动；反过来就是电机反转和反转快速制动
而下图则是先正转（Q1与Q4打开，Q2与Q3关断）然后超快速制动（Q1和Q4关断，直接打开Q2和Q3，MOS导通内阻低阻碍更小所以电流消耗更快）最后反转（Q2与Q3保持开启）的示意图：
4.H桥的关键参数
H桥有一些关键参数要注意
常规的如下：
工作电压范围，最大输出电流，导通电阻，PWM频率
关键的参数：死区时间
死区时间是为了防止上下桥臂MOS同时导通设置的延时时间，即使输入没有死区，芯片内部也会添加一个死区出来，芯片设置的通常是几十到几百纳秒
而死区时间也不是越长越好，因此选型要注意。
- 死区时间太短 → 有可能上下MOS同时导通，形成短路。
- 死区时间太长 → 导致输出波形畸变，效率降低，死区损耗增加。
