重点是第二阶段，随着是Vgs电压逐渐上升，当Vgs超过Vgsth，MOS开始逐渐导通，Vds电压会急剧下降，DS两端就像开关闭合，电容Cgd上极板电压急剧下降↓，这个过程中伴随着大量正电荷被吸到GND端，与此同时，下极板大量吸收正电荷，这些电荷从哪里来呢，就是从驱动端来，此时Cgd这个电容狮子大开口，疯狂吸收驱动电流 ，而下面电容Cgs电荷却得不到补充，所以这期间Vgs就无法继续上升，实测中
我们发现有时候如果米勒电容胃口太大，还能看到这个平台会直接凹陷。虽然Cgd的胃口很大，但是好在Cgd还是冲满了，此时MOS完全导通，Vds电压就为0，上极板电压为0V，Vgd等于驱动电压，MOS管就在这稳定的状态下，等待着下降沿的出现，关于下降沿此处就不再赘述；以上描述就是单个MOS开通过程；
那么在这过程中，本质就是MOS管开关不是瞬间完成的，其电压和电流 Vds 和 Ids 存在重叠区，这就是开关损耗。
前面我们提到开通过程中有四个阶段，第一阶段是Vgs电压从0到Vth, 这个过程MOS始终没有导通，Ids为0，因此损耗为0，栅极损耗可以忽略不计；第二个阶段是，MOS开始导通到米勒平台，这时候电压始终为Vds,电流从0变化到Ids(on), 功耗就是1/2 VDS* IDS* t2* FPWM;
第三个阶段是米勒平台，这时候Ids是几乎不变的，VDS逐渐变成0，所以功耗也是1/2 VDS* IDS* t3* FPWM；
第四阶段完全导通，Vds为0，也就没有开关损耗； 因此我们开关损耗主要是t2,t3 决定，也就是Cgs,Cgd决定，这两个电容会影响我们的开关速度，从而影响开关损耗；通常在计算的时候t2+t3, 近似成我们的管子的rising time。 关断时的计算也是同理，因此开关损耗的计算就是我们前面展示的公式；