之前看到这个帖子里提到了米勒平台↓
忍不住想分享一下米勒效应的原理和应对措施。浅浅一谈，如有不对，随时批评。
什么是米勒效应？
米勒效应（Miller Effect），最早由John Milton Miller在1920年研究真空三极管时发现，指的是放大电路中由于寄生电容的影响，导致电路的输入阻抗和频率响应发生改变的现象。考虑下图所示电路，由一个理想反相电压放大器（−A v）和阻抗Z 组成：
可以得到输入电压V o=−A vV i，输入电流I i=(V i−V o)/Z =[V i(1+A v)]/Z；则输入阻抗Z i=V i/I i=Z /(1+A v)。若Z 为电容C ，则阻抗Z =1/sC ，输入阻抗Z i=Z /(1+A v)=1/[sC (1+A v)]，等效输入电容C ISS=C (1+A v)，因此反相电压放大器增大了电路的输入电容，放大倍数为(1+A v)。
米勒效应在MOSFET中的表现
考虑寄生电容和栅极电阻的MOSFET原理图：
MOSFET的寄生电容标称值（V DS=V DS(off)）：输入电容C ISS=C GS+C GD，输出电容C OSS=C DS+C GD，反向传输电容C RSS=C GD，以常见的GaN MOS管在V DS=400V时为例，其量级关系为：C GS(~60pF)>>C DS(~10pF)>>C GD (~0.5pF)。
若将MOSFET视为一共源电路，即以V GS为输入，V DS为输出，则可得到MOSFET的小信号模型等效电路，也为一反相电压放大器：
因此，C GD是一颗积分反馈电容，构成积分反馈回路，由于MOSFET的放大倍数A v很大（几百），使C GD在栅极输入侧得到放大：C RSS=C GD(1+A v)，从而形成了MOSFET中的米勒效应。
米勒平台的形成及其持续时间与MOSFET的C GD电容强相关：
t 0-t 2：驱动芯片通过栅极电阻R G为C GS充电，使V GS上升到阈值电压V GS(th)， MOSFET开始开通，I D开始上升，V DS由于线路杂感而略有下降，与此同时V GS继续升高直到米勒平台V GP。
t 2-t 3：V GS到达米勒平台V GP时，MOSFET进入饱和区，I D达最大值，V DS开始迅速下降。驱动芯片的电流几乎全部供给C GD，而C GS未得到充电电流，因此V GS保持V GP不变，形成了米勒平台。
米勒平台中驱动电流几乎全部供给C GD而非C GS的原因：
- 米勒平台中V DS快速下降，C GD需要大量充电电流，且C GD的值本身在V DS快速下降时迅速增大；
- C GD对V GS起到负反馈作用，即V GS↑→I D↑（当MOSFET处于饱和区时I D=G mV GS）→V DS↓→V GD↓→I GD↑→V GS↓，从而保持V GS值不变。
=米勒振荡的形成及其抑制措施下个帖子整理=