Hi
我有个项目需要电池包双包并联使用，需要高边MOSFET共S级设计。
对MP2791来说，它能否支持MOS共S级设计。
如果不可以，能否详细解释一下不可行的原因，方便我迭代设计。
另外，AFE芯片规格书推荐电路为什么都是共D级设计，是出于什么考虑设计成这样子。芯片不可以设计成支持MOSFET 共S级设计吗？或者需要外围电路如何更改。
再次诚挚的感谢您
你好，MP2791的默认推荐连接为“高边、背靠背N-MOS、共漏（共D）”拓扑，芯片设置了专门的 VMID（Protection MOSFET middle point） 引脚用于连接两只FET的“公共D极”，并用 CHG/DSG 两个高边驱动脚分别去推两只管的栅极，VCP 是相对 VMID 的升压驱动电源。
CHG/DSG 的门极电压是以 VMID（公共源极）为参考提供的（VCP 对 VMID 有20 V上限）。若改成共源，VMID 不再是漏极节点，门源电压 VGS就无法被正确控制，软启动、限流等都失效。
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MP2791 背靠背MOS 推荐共D极设计的原因是：VMID需要检测电池或者P+端电压，做CHG或者DSG MOS驱动 charge pump的基准电压。所以无法支持共S极的设计。
电池包的并包设计，建议用各自独立的BMS 管理系统，然后通过DCDC转换来实现并机
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