在反激电源中，原边开关管断开后，副边整流二极管导通，此时二极管消耗的功率可由下式计算得到。
其中，二极管的导通压降为V f、副边电流为I o、二极管的导通功率为P D。
输出的功率为：
因此二极管的导通电阻而造成的功率损失率可由下式得到：
可知整流二极管的导通电阻降低了电源的整体效率，尤其是当输出电压较低时影响更大。通常为了降低整流二极管的损耗，可以采用同步整流技术，使用极低导通电阻的功率器件(如MOSFET)代替二极管。
最为常见的同步整流控制方式为电压检测控制型，其基本原理就是检测同步整流MOSFET的漏源电压V DS决定同步整流MOSFET的开通与关断。其基本的控制原理如下图所示：
下面以MP6908为例进行简单的工作原理分析
其工作时序如下图所示：
在原边MOSFET开通瞬间，副边MOS管的漏源电压等于输入电压加上原边反射电压，原边绕组电流持续增大。当原边绕组电流达到最大值时，原边MOSFET关断，变压器通过副边绕组流经同步整流MOSFET续流， 副边V DS电压等于其体二极管压降-V f。
MP6908通过SLEW端口设置开通定时器的时间，如果VDS电压在TSLEW内从2V降到-86mV的开通阈值，则经过一段延迟时间T DON，同步整流MOSFET开通。以防止由于振铃造成MOSFET意外关闭，在MOSFET开启之后有一段约1.1us的消隐时间， V DS的值变为-I DS×R DS(ON)（I DS为副边电流，R DS(ON)为同步整流管的导通电阻）,由于副边电感一直释放能量，副边电流不断减小，VDS的值不断增大。
当V DS电压上升到-40mV时，栅极电压会逐渐降低，MOSFET的导通电阻减小，V DS电压会维持在-40mV附近。
当V DS大于关断阈值时，经过一段延迟时间T DOFF，同步整流MOSFET关断。此时，会有一段关断消隐时间，在此期间栅极驱动信号被锁存关闭。当V DS 上升到 2V 以上时，关断消隐被解除。完成一个开通和关断的周期，这种方式的控制非常精准快速，大多数同步整流芯片均采用这种控制类型。
还有一种伏秒平衡控制型方法，这种控制方法只适合应用于工作在DCM下的反激电源中，通过检测伏秒积来控制同步整流MOSFET的导通关断。
在原边MOSFET开通期间，原边电流线性上升，这一阶段为正的伏秒积；在原边MOSFET关断期间，副边电流线性下降，这一阶段为负的伏秒积。通过检测正伏秒积、负伏秒积和电流过零点来控制同步整流 MOSFET 的状态。这种方式不用去精准检测电压、电流值，但是抗干扰的能力较弱，不适用于工作在CCM下的反激电源中。
楼主总结的不错，我来补充一下大家比较关心的同步和异步整流各自的优缺点:
同步整流与异步整流的核心差异在于整流元件:同步整流用MOSFET，异步整流用二极管。
同步整流的优缺点如下：
- 优点
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效率更高：MOSFET导通电阻极低（通常为mΩ级），导通损耗远小于二极管的正向压降损耗，尤其在大电流、低压输出场景效率提升显著。
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发热更少：低导通损耗直接减少元件发热量，节省了散热片或风扇的设计，降低了成本。
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输出电压更稳定：MOSFET的导通压降几乎可忽略，避免了二极管正向压降导致的输出电压跌落，尤其在低压输出时，电压精度更高。
- 缺点
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成本更高：需额外增加MOSFET驱动芯片（如同步整流控制器），且MOSFET本身成本略高于普通整流二极管，整体硬件成本上升。
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电路更复杂：需设计驱动信号时序（确保MOSFET在正确时刻导通/关断，避免与开关管直通短路），增加了电路设计难度和调试工作量。
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可靠性要求更高：若驱动时序异常或MOSFET故障，可能导致电源短路、烧毁等风险，对电路保护设计要求更严格。
针对以上的优缺点，大家可以根据自己的需求选择是否需要使用同步整流。
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再补充一点，除了同步和异步整流的对比外，其实在反激应用里，同步整流的控制方式本身也会对性能影响很大。比如前面提到的伏秒平衡型方法更适合DCM，但在CCM下就容易误判，可能导致MOSFET导通时机不准确。现在常见的实现方式还有基于电压检测和电流检测的方案：电压检测实现简单，但抗干扰能力一般；电流检测精度更高，但电路更复杂、损耗也更大。实际选型时往往需要在效率、成本、可靠性之间做平衡，这也是为什么很多中低功率场景还是会选择异步整流，避免过度设计。
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感谢补充