1.本征半导体的概念：
将半导体提纯到最高纯度，杂质降低，然后经过一定的工艺，让他们具有晶格结构，这样的单晶体就是本征半导体。
2.硅，锗，砷化镓的性质比较
本征载流子的含量：锗（25万亿），硅（150亿），砷化镓（170万）
自由电子运动的能力比较：砷化镓（8500），锗（3900），硅（1500）
3.正温度系数和负温度系数
导体：导体受热后，内部自由电子的运动不会增加很多，他们都在自己的位置上固定振动，使电子运动更加困难，所以导体的温度增加，电阻是增加的；
半导体，导体受热后，价电子吸收能力，打破共价键，内部的自由电子增多，具有更好的传导性。
4.N型材料
无论是哪种材料，呈现电中性，因为自由电子虽然在不断的移动，但是原子核中的质子和中子与电子具有一样的电荷；
在纯净的半导体中掺杂千分之一的杂质，就能改变材料的特性；
N型是掺杂5个价电子元素形成的。磷，锑，砷。
5个价电子的杂质原子称为施主原子；
在N型材料中，比较多的是自由电子，被称为多数载流子，比较少的是空穴，被称为少数载流子。
5.P型材料
P型是掺杂3个价电子的元素形成的，硼，镓，铟
3个价电子的杂质原子称为受主原子
在9型材料中，比较多的空穴，被称为多数载流子，比较少的是自由电子，被称为少数载流子
6.半导体材料分类
半导体材料主要有两种，单晶体和复合晶体。
单晶体的意思是一种纯材材料，硅，锗，与重复的晶体结构。
复合晶体的意思是材料有至少两种组成，砷化镓（GaAs），硫化镉（CdS）,氮化镓（GaN）,磷砷化镓（GaAsP）
7.锗材料
优点：锗材料比较常见，容易提炼到非常高的纯度，成本也非常低；
缺点：对温度比较敏感，温度稳定性较差。
8.硅材料
优点：硅材料稳定性相比锗要好，但是在早期，提炼纯度不好，在1954年晶体管做出来了，才迅速得到应用硅是世界上现存物质中，非常丰富的一种材料
缺点:发展到一定的程度，速率达不到。
9.砷化镓
砷化镓半导体制成的器件，速度比硅的要快，能提高5倍左右，但是砷化镓的提炼纯度很难做到很高，所以价格比较昂贵，但是在高速，大规模电路里面使用的比较多。
10.原子
原子主要由三种粒子组成，质子，中子，电子。中子和质子构成原子核，电子围绕原子核在固定的轨道运动
11.偏置
偏置是指为了得到一定的响应而在设备的两个终端之间外加的电压.
12.扩散运动
物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
13.漂移运动
在电场力作用下,载流子的运动称为漂移运 动。当空间电荷区形成后,在内电场作用下,少子产生漂移运动,空穴从N 区向 P 区运动,而自由电子从P 区向N 区运动。
14.肖克利方程
其中，IS是反向饱和电流，Vd是加在二极管两端的电压，n取1~2，工作条件和物理结构的函数，VT是热电压。
15.热电压
其中k是玻尔兹曼常数，为1.38x10-23J/K，T是热力学温度，为273+摄氏度（℃）值，q是电子的电荷量，为1.69x10-19C。在温度为27℃时，热电压为26mV。
16.拐点电压
锗0.3V，硅0.7V，砷化镓1.2V
17.击穿电压
锗典型是100，最大是400V；
硅和砷化镓，50~1KV
18.二极管的电阻水平
在拐点及拐点以下的直流电阻级别比曲线垂直上升区域的电阻大，反偏区域的电阻会更高。
19.直流电阻
曲线上某一点，电压的值与电流值的比值就是直流电阻
20.交流或动态电阻
曲线上某一点的斜率是动态电阻
