Choti
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对于市面上的GaN开关管，其栅极驱动电压的范围大多在-1.4V—7V（部分产品耐负压能力能到达-6V）之间。而常见的Si器件其正向驱动电压常在8—12V之间，SiC器件的正向驱动电压在15—20V之间。GaN开关管驱动电压推荐值为6V，若使用Si器件的驱动方案，驱动因此需要加入额外的驱动电平转换电路，使其能够用于GaN开关管的驱动。
下面介绍一种简单的常见的分压式驱动电路：
通过该电路，将驱动电压限制在-1.4V—7V之间，图中各器件的功能如下：Rdrive调节开关管开通/关断速度；Dz钳位开关管的驱动电压；Ra和Rb为分压电阻；Cc为开关加速电容。
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开通过程中，驱动的电流回路如下图所示，驱动电压主要通过Rdrive、Cc快速给开关管的Ciss/Crss充电，栅极电压快速上升打开开关管。
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关断过程，驱动的电流回路如下图所示，通过Rdrive、Cc快速给开关管的Ciss/Crss放电，栅极电压快速拉低关断功率管。Ciss放完电后因Cc电容需要继续放电，Dz流过电流产生负压。
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下面简单介绍参数设计过程：
1、栅极下拉电阻Rb一般取值10—20kΩ；
2、Dz一般取6.2V稳压二极管，精度±2%；
3、查阅开关管的datasheet确定栅极电流Igss_max，栅极正电压Vgs（一般设定6V）；
4、分压电阻可以通过下式进行计算，Rdrive确定后，Ra相应也确定。
5、Cc电容容值可以通过下式进行计算，Cc电容太小会导致开关过程变缓，有无法及时开启和关断的风险，且容值越大，关断时负压维持时间越长。
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