输出电流：连续输出电流可达15A，峰值电流为20A
特性：采用恒定导通时间（COT）控制，提供快速瞬态响应；通过MODE配置可设置工作频率为600kHz、800kHz或1000kHz；具有可配置软启动时间（tSS）和开漏电源正常（PG）信号；提供全集成非锁存保护功能，包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和过温保护（OTP）
封装：紧凑型FCM ECLGA-33（5mmx5mmx2.76mm）
MPM38222
输入电压范围：2.7V至6V
输出电压范围：低至0.608V
输出电流：双路2A输出电流
特性：集成电感的45µA低静态电流双通道降压开关变换器；峰值效率>93%，轻载效率>80%；全方位保护功能包括逐周期限流保护和过温关断保护
封装：小型表面贴装的QFN-14（4mmx4mmx1.6mm）
六、项目总结
这是一款 MPS的 MPM3683 系列芯片构建的高频、高效率、同步整流降压（Buck）DC-DC转换器。其核心目的是将较高的输入电压（VIN）转换为一个稳定的、更低的输出电压（VOUT），为后续电路提供电源。
核心芯片：MPM3683
工作原理分析
整个电路可以划分为以下几个功能模块：
1. 输入滤波与保护
元件： C2(22µF), C3(100nF), EC1(电解电容 100µF)。
作用：
缓冲储能： 提供瞬时大电流，应对负载突变。大电容(EC1, C2)缓冲低频能量，小电容(C3)滤除高频噪声。
滤除噪声： 防止电源线上的干扰影响芯片工作，也防止芯片开关噪声污染输入电源。
路径： VIN-> 滤波电容 → 芯片的 VIN引脚。
2. 功率转换核心
能量转换的主体部分，主要由芯片内部的电路完成：
内部控制电路产生PWM信号。
内部上管MOSFET导通时，输入电压 VIN通过 SW（开关）引脚连接到内部电感，电感电流增大，储能。
内部上管MOSFET关断，内部下管MOSFET同步导通（同步整流），电感电流通过下管续流，电流减小。
这个过程以极高的频率（1MHz）重复，在电感上产生一个平均电流，从而在输出端得到一个低于输入电压的稳定电压。
3. 输出电压设置与反馈
元件： R9(100kΩ), R10(16kΩ), C6(100nF)，以及芯片的 FB（反馈）引脚。
作用： 这是一个电阻分压网络，用于设定输出电压的值。
芯片内部的误差放大器会持续比较 FB引脚上的电压与一个精密的内部基准电压（ 0.6V 或 0.8V）。
输出电压公式（理想）： VOUT = Vref * (1 + R9 / R10)
假设 Vref = 0.8V，则 VOUT = 0.8 * (1 + 100/16) ≈ 0.8 * 7.25 = 5.8V。这个电路很可能输出一个 5V 或 3.3V 左右的电压。
C6 是补偿电容，用于稳定反馈环路，防止振荡。
4. 使能与控制
元件： R7(100kΩ), R8(100kΩ)，以及芯片的 EN（使能）PG引脚。
作用： 通过一个电阻分压网络来设置芯片的开启/关闭电压阈值。
当 VIN电压逐渐升高，使 EN引脚电压超过某个阈值 1.2V时，芯片开始工作。
这个电路确保输入电压达到一个足够高的水平后芯片才启动，避免低压误操作。
5. 输出滤波
元件： C7, EC6(22µF) 等输出电容。
作用：
平滑电压： 将芯片 SW引脚输出的脉冲方波（PWM）过滤成平滑、稳定的直流电压 VOUT。
提供负载电流： 为动态变化的负载提供瞬时电流。
6. 自举电路
元件： C9(4.7nF)，连接到芯片的 BST和 SW引脚。
作用： 为了高效地驱动内部的上管NMOS功率管，需要在其栅极施加一个高于 SW引脚的
7. 其他功能引脚
PG（Power Good）： 开漏输出信号。当输出电压稳定在正常范围内时，此引脚被芯片内部释放（通常外接上拉电阻），用于通知后续电路电源已准备好。
PGND： 功率地，是大电流的返回路径。
AGND： 模拟地，是敏感控制电路的参考地。通常在芯片内部或单点连接到PGND，以避免噪声干扰。
这是一款高性能、全集成式的同步降压转换器。其核心特点是集成了功率MOSFET、电感和多种必要电路，极大简化了外部设计。
核心芯片：MPM3685
工作原理详解
1. 输入滤波与保护 (Input Filtering & Protection)
元件： C18(22µF), C19(100nF), EC4(22µF电解电容), R32(0Ω), R28(0Ω), R16(0Ω)。
作用：
缓冲与储能： 大容量电容（EC4, C18）用于平滑输入电压，为芯片提供瞬时大电流，应对负载突变。
高频去耦： 小容量陶瓷电容（C19）为芯片提供低阻抗的高频电流路径，滤除开关噪声。
0Ω电阻 (R32, R28, R16)： 通常用作跳线或保险丝。在调试阶段方便断开测量，也可能在过流时熔断以保护后续电路。它们也提供了单一的电流路径，有助于方便测量电流。
2. 输出电压设置 (Output Voltage Setting)
元件： R21(100kΩ), R22(100kΩ), R24(7.5kΩ)。
作用： 这是电路工作的核心配置。通过连接在 FB（反馈）引脚上的电阻分压网络来精确设定输出电压值。
芯片内部有一个精密的参考电压（Vref，通常是 0.6V 或 0.8V）。
分压电阻将输出电压 VOUT分压后与 Vref比较。误差放大器会自动调整开关占空比，使 FB引脚电压等于 Vref，从而稳定输出电压。
计算公式： VOUT = Vref * (1 + Rupper / Rlower)
假设 Vref = 0.8V，Rupper = R21 // R24（并联），Rlower = R22，则可以计算出 VOUT。这里的电阻组合（100kΩ, 100kΩ, 7.5kΩ）很可能用于设置一个常见的电压，如 5.0V 或 3.3V
3. 使能与控制 (Enable & Control)
元件： R23(60.4kΩ), R27(20Ω?), C27(100nF)。
作用：
使能 (EN)： EN引脚通过电阻 (R23) 上拉到 VIN。这意味着一旦输入电压 VIN建立，芯片就会自动启用。也可以通过外部信号控制该引脚来远程开启/关闭电源。
模式选择 (MODE)： MODE引脚可能用于选择芯片的工作模式，如脉冲跳跃模式（轻载高效） 或 强制连续导通模式（低噪声）。通过电阻 (R27) 将其设置为高电平或低电平来选择不同模式。
补偿 (COMP)： C27连接到 COMP引脚，这是误差放大器的补偿节点。该电容用于环路补偿，确保反馈系统稳定，不发生振荡。
4. 功率转换与输出 (Power Conversion & Output)
过程： 转换过程主要在芯片内部完成。
开关阶段： 内部上管MOSFET导通，电流从 VIN流入，通过内部电感，向输出电容充电并向负载供电，电感储能。
续流阶段： 内部上管关断，内部下管（同步整流管）导通，电感电流通过下管继续流通，能量释放给负载。
这个过程以高频重复，通过调整导通和关断时间的比例（占空比），将高输入电压转换为稳定的低输出电压。
输出： 稳定的直流电压从 VOUT引脚输出。尽管芯片内部已集成电感，外部可能仍需要输出电容（如 C17, TP13, TP14）来进一步滤除纹波并提供更快的动态响应。
5. 测试与接口 (Test & Interface)
元件： TP13, TP14, TP15, TP16, U11。
作用：
测试点 (TP)： 用于生产和调试阶段测量关键信号
接口 (U11)： 输出连接器，用于将生成的电源连接到目标电路板。
appleU, 你好像都发错地方了，应该是在集成电感功率模块板块发帖
兄弟，有没有清楚点的原理图，学习一下
有的，可以私聊
