大家好，今天给大家分享一下常用的电平转化电路。
由于是3.3V和5V的转化电路，所以分以下四种情况：
- 3.3V管脚发送高电平给5V管脚
左边3.3V管脚输出为高电平时，NMOS的Vgs＝0V，此时NMOS关断，5V管脚被R2上拉为高电平。
- 5V管脚发送低电平给3.3V管脚
当右边5V管脚输出为低电平时，由于NMOS存在体二极管，所以起始会将NMOS的源极钳位到大约0.7V左右（具体要看MOS手册中的体二极管参数），然后Vgs=3.3V-0.7V＝2.6V＞Vgs（th），仿真选择的NMOS阈值电压Vgs（th）为0.9V。于是NMOS导通，3.3V管脚便被拉为低电平。
但是此MOS管做的电平转化电路有三个“坑”，今天就将这三点注意事项分享与诸位道友，此电平转化电路为双向转化。
第一点：源极侧和漏极侧的电平大小
MOS管的源极侧放置的信号电平应该比漏极的信号电平低，例如下图，源极侧放置电平为1.8V/0V，右侧放置电平为3.3V/0V。如果源极放的信号电平是高于漏极的信号电平，那么该电路将工作异常，不能正常电平转化。
第二点：高电平的驱动能力
这个MOS管电平转化电路的驱动能力完全取决于上拉电阻的大小，上拉电阻越大，驱动能力越弱。如果发现被转化的信号的上升沿很缓，或者通讯异常，那么可以考虑是否是外部线缆长度过长带来的容性增加，可以减小线缆长度或者减小上拉电阻的大小以改善信号波形。
