聊起来精密信号链，除了现行的高端仪器，通常给出来是极其离谱（反正也不知道能不能做出来，得花多少钱）。
精密电路其实是有条分界线的，在接近物理极限的时候，已经不是器件底子可以主导的了；而是系统架构，以及环境变量影响了，那今天这个文章就给出一些直觉的指标（快速和不靠谱的需求说：NO！！！）
先看一个指标，看看帅气的你能不能分辨出来：
这里只看精度，10μV；我们把它当做绝对误差≤10μV（关键指标！），对应满量程（5V）的相对精度=10μV/5V=0.0002%（即2ppm）。
这里只看精度，10μV；我们把它当做绝对误差≤10μV（关键指标！），对应满量程（5V）的相对精度=10μV/5V=0.0002%（即2ppm）。
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槽点出现，对系统指标不明确
我上面说当做了绝对误差看；先明确：“10μV精度”≠“输出噪声≤10μV”
10μV精度 ：指系统的确定性误差上限 （如线性度误差、偏移误差、温漂误差等综合），即无论输出多少电压，实际值与理论值的偏差不超过±10μV（类似“标尺刻度不准的最大误差”）；此时语境的噪声指输出信号上叠加的随机波动 （如热噪声、散粒噪声、电源纹波等），通常用“有效值（RMS）”或“峰峰值（Vpp）”衡量（类似“读数时的抖动”）。
如果敢标称“10μV精度”的信号源，必须同时满足两个条件：系统确定性误差≤10μV；以及输出噪声（RMS）远小于10μV（通常要求噪声RMS≤1μV，峰峰值≤5μV），否则噪声会“掩盖”精度，导致实际使用中无法分辨10μV的变化。
若输出噪声RMS=1μV（峰峰值≈6μV，按99.7%置信度），则总误差（精度10μV+噪声6μV）=16μV，仍在可接受范围；若噪声RMS=5μV（峰峰值≈30μV），则噪声已接近精度指标，实际使用中10μV的变化会被噪声“淹没”——因此厂家敢标10μV精度，必然已将噪声控制在远小于10μV的水平 （通常噪声RMS≤1μV）。
从单位入手
般来说 mV 不算精密，嘎嘎乱杀，mV 以下血流成河，当然 pV 这个也没有，这根本不能测量（相关性测量可以），所以我们的目标就是 uV 和 nV 的世界。
量程 = 仪器当前使用的测量档位
例如：
| 量程 | 含义 |
|---|---|
| 100 mV | 最大测量约 ±0.1 V |
| 1000 mV | 最大测量约 ±1 V |
| 10 V | 最大测量约 ±10 V |
| 100 V | 最大测量约 ±100 V |
| 1000 V | 最大测量约 ±1000 V |
注意： 实际最大显示通常 比量程大一点 。
最高分辨率（Resolution）
表示 最小可分辨电压变化 。
| 量程 | 分辨率 |
|---|---|
| 100 mV | 10 nV |
| 1000 mV | 100 nV |
| 10 V | 1 µV |
| 100 V | 10 µV |
| 1000 V | 100 µV |
这说明仪器内部 ADC + 数字滤波能力。
测试精度（Accuracy）
格式：±(A% rdg + B)
其中：
| 符号 | 含义 |
|---|---|
| rdg | reading（读数） |
| A% rdg | 按读数比例误差 |
| B | 固定误差 |
如：
±0.0030% rdg ± 2 µV
意思：
误差读数µ
举例
测量：
50 mV
计算：
比例误差：
所以真实值：
50 mV ± 3.5 µV
输入电阻（Input Resistance）
表示：仪器输入端的等效电阻 ；这影响：
负载效应
即仪器是否会 拉低被测信号 。
为什么低电压档输入阻抗更高
| 档位 | AUTO输入阻抗 |
|---|---|
| 100 mV | >10 GΩ |
| 1000 mV | >10 GΩ |
| 10 V | >10 GΩ |
| 100 V | 10 MΩ |
| 1000 V | 10 MΩ |
低电压测量通常是高阻抗信号源；例如：传感器，精密基准，运放输出。
精密和超精密的分界点
µV（微伏）和 nV（纳伏）本质上只是电压单位的数量级不同；但在精密电子和测量系统里，它们代表的物理难度和工程难度差异非常大 。
虽然只是 1000 倍差，但在精密电路里：
| 量级 | 工程难度 |
|---|---|
| µV | 精密模拟设计 |
| nV | 极限低噪声设计 |
如果我们把1 V 比作一栋 1000 米高的大楼，那么：
| 单位 | 类比高度 |
|---|---|
| 1 mV | 1 米 |
| 1 µV | 1 毫米 |
| 1 nV | 1 微米（细菌级） |
可以看到nV 级信号几乎和材料、温度、接触电势同一个尺度，而且很多物理效应天然就在 nV 级：
热噪声（Johnson Noise）
公式：
这意味着一个普通电阻就有 nV 级噪声。
热电势（Thermoelectric EMF）
不同金属接触时，比如温差 1°C，可能产生：
1 µV，甚至几十 µV
也就是说轻轻摸一下电路都可能产生 µV，之前文章也写过表笔的建模，其实就是说的这个现象。
