上一篇文章，我们讲解了，从0到1，搞懂EFUSE电子保险丝芯片和外围电路设计（前传）[从0到1，搞懂EFUSE电子保险丝芯片和外围电路设计（前传）,介绍了ESUFE耐压为什么是80V呢？为什么不是70V或者90V呢？为什么EFUSE有这么多的保护功能？以及温升如何计算？
今天我们继续基于MPS的汽车级高压高电流E-Fuse芯片MPQ5884规格书继续开讲！
接下来是芯片的工作电压范围是6~60V：
芯片具有欠压保护功能，以典型值为例，当芯片电源电压VIN<1.7V时，芯片会进入关机模式，这个功能有啥用呢？
简单来说就是防止系统在供电不足的半死不活状态下工作，从而保护后端负载和EFuse自身。当输入电压VIN低于设定的安全阈值时，eFuse会果断切断输出，直到电压恢复正常才会重新导通。
这可以在电压降到足以让芯片内部逻辑电路发疯之前，提前切断电源，强制系统复位实现欠压保护，毕竟芯片发起疯来可是什么都可能发生，比如输出过流了也不关断，自己过温了也不保护，内部的功率MOSFET甚至会工作在饱和区，可能会烧MOSFET。
当然一般你看到UV功能，就必然会有Hysteresis迟滞设计，比如VIN under-voltage (UV) rising threshold的典型值是2.75V，意思就是当VIN电压低于1.7V时，芯片会欠压保护，当VIN电压高于2.75V后内部功能逻辑才重新开始初始化，这1.05V的迟滞电压差可以有效防止输入电压在临界点附近轻微抖动时，eFuse傻乎乎地频繁反复横跳。
接下来我们讲一下EFUSE的工作模式，MPQ5884 具有四种工作模式：正常模式、开路负载检测模式、低IQ模式，和关断模式。当我们使用其他型号的EFUSE时也是一样，也要关注EFUSE有哪些工作模式。
EFUSE的一个重要特性就是它在低功耗模式下，也能保持输出打开，如果有哪家供应商告诉你它开发出了EFUSE，很牛批云云，你就看到低功耗模式下能不能把内部的MOSFET打开就完事了，打不开的那都是瞎吹牛！
这个功能有啥用？如果EFUSE后级是ECU时，有些ECU在整车休眠时也是需要供电的，ECU典型休眠电流也就两三个毫安，如果EFUSE本身都消耗两三个毫安，那性价比可太低了，所以EFUSE既能保持输出打开给后级EFUSE供电，又能将自己的功耗控制在100uA以内！
咱们可以看一下MPQ5884的硬件框图，它具有两个内部功率MOSFET开关，一个主MOSFET (M-FET) 和一个辅助MOSFET (BB-FET)。M-FET和 BBFET均为N沟道MOSFET。在正常模式下，M-FET和BB-FET导通。从框图我们可以明显看出来辅助MOSFET (BB-FET)是由Low-Iq Mode来控制的，这意味着低功耗状态下只有辅助MOSFET (BB-FET)处于导通状态。
当然EFUSE的辅助MOSFET (BB-FET)驱动能力一般比较差，看下图就知道了，辅助MOSFE内阻典型值是1.4Ω，主MOSFET的内阻典型值是4.5mΩ，差了几百倍！所以在EFUSE的辅助MOSFET在低功耗状态下不能过太大的电流！
