大家好，我是钳工。相信大家对下面的高侧开关电路并不陌生，这个电路也可以说是经典中的经典，90%的工程师都应该是用过，就算是没用过也看过别人用过。这个电路实现的功能是控制电源是否提供给后级的负载，常用来作为低功耗，或者说是开关某些电机，加热丝等等。当MCU的IO处于高电平的时候，NPN三极管导通，PMOS的Vgs存在压差，从而PMOS导通，负载上电。当MCU的IO处于低电平的时候，NPN三极管截止，PMOS的Vgs压差为0V，此时PMOS截止，负载断电。
不过上述的这个常规使用的PMOS的负载开关是有缺点的，例如缓起需要自己去计算，没有限流功能，在电源过冲或者某些情况下会超过MOS管的SOA区，导致量产概率损毁。那么有没有集成的高侧负载开关芯片呢？当然是有的！本期要给大家分享的也是我经常用的一款高侧电源开关芯片，型号是MP5035，这款芯片是一个输入电压2.9~22V，电流50mA~2A，可配置限流值，可配置缓起动，过热保护功能，热插拔。下图是MP5035的典型应用图：
这个芯片使用起来其实也非常简单，从这个典型应用图来看，其实就是IO控制EN高低来控制负载电源是否供电。除此之外，MP5035还有另外两个管脚，DV/DT和Ilimit，这两个管脚其实看名字也就知道是什么意思了。
DV/DT的意思是单位时间内的电压变化量，通俗的讲就是缓起动。需要在DV/DT管脚连接一个电容，实现缓起动。如果浮空DV/DT管脚的话，那么其缓起动时间就是预设的2.5mS，斜率是2V/mS典型值。斜率可以通过DV/DT的管脚进行配置。
那么这个芯片内部是如何实现这些功能呢？官方的芯片也给了一个设计的框图，我们可以隔管窥豹。下图是MP5035手册中的芯片内部框图，可以看到他的这个DV/DT的控制逻辑是通过内置电流源给外部电容充电，然后将电容的电压阈值与内部电压源做比较，然后控制功率开关实现的。电流限制是通过内部的电流检测，然后通过镜像电流源做转换，然后再通过外部电阻器配置（不同的电阻就折算成不同的电压），然后这个电压也是与内部的电流保护电路的Vref做对比，然后给到内部的控制逻辑那里，控制逻辑实现最终的控制：
然后在手册的后面也有很详细的Layout注意事项，这个我感觉MPS做的还是挺不错的，注意事项说了5点，分别如下：
1.VIN和VOUT需要短，直，宽。这个是功率走线。
2.输入电容靠近VIN和GND管脚。
3.VIN和VOUT的铜皮需要尽量的大，以此减少热阻，增强散热。
4. ILIMIT的外置配置电阻需要靠近ILIMIT管脚。
5.DV/DT的配置电容也需要靠近DV/DT管脚。
总结：
MP5035这个芯片相对于普通的分立器件，集成度变高了（SOT23-6,），可以在一些更紧凑的应用上使用。并且其集成了过流限流，过热保护，缓起动，热插拔这些功能，这些也是分立器件不具备的。总而言之是挺推荐大家使用的，那么本期的分享也就到此结束了，感谢大家的阅读~。
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