集成mos管的转换器，好像大多不给开关损耗的具体数据，比如每1vin的开关损耗，这很重要，和之流损耗一样重要，直流损耗很好知道，只要知道管子的直流内阻即可，而且大多说明书里面也是给了直流内阻的，但就是没有开关损耗，这很奇怪
你说的很有道理，目前好像这类芯片都是这么干的，不给具体的开关损耗，不过实际也有办法，规格书会给出芯片的各种工况下的效率曲线，可以根据效率曲线反推总功耗即可，再基于总功耗评估温升，这样的话也没必要非要知道开关损耗了
这种办法太麻烦了，完全不如直接给出开关损耗，而且开关损耗的影响变量一般不大，直接给个理想的开关损耗即可，不需要考虑什么噪声尖峰之类的影响
您好
1.开关损耗没办法直接测量，无法得到准确具体的数据
2.对于集成MOS的芯片，单独得到开关损耗没有太大的实际意义，总损耗更有价值
3.影响开关损耗的因素较多，理论上输入电压、输出电压、输出电流、开关频率、电感感量等均会影响开关损耗。如果是外置MOS的，则影响因素更多