前面讲了短路发生后为什么需要软关断。【个人经验分享】关断越快越好吗？为什么短路保护反而要软关断？ - 资源中心 - MPS技术论坛
但驱动器首先得知道：现在是不是已经出了故障？
一些IGBT驱动电路，主回路没有专门为短路保护串采样电阻，却从集电极接了一只高压二极管，连到驱动器的DESAT引脚。
没有直接测电流，它怎么判断短路？
DESAT是Desaturation，即退饱和检测。在IGBT驱动里，它主要观察一个现象：器件收到开通命令后，VCE有没有保持在合理的低压降范围。
导通时的VCE，就能反映异常
IGBT正常导通时，集电极与发射极之间通常有一个较低的导通压降，常用VCE(sat)描述，其大小受电流、温度和栅极驱动电压影响。
如果发生严重过流或短路，在当时的栅极驱动条件下，器件可能无法继续以低VCE承载电流，VCE就会明显升高。
DESAT利用这个变化检测异常。
这里的“饱和”沿用IGBT数据手册的术语，不要直接套用MOSFET输出特性里“饱和区”的概念。
集电极高电压，为什么没有直接灌进驱动器？
看一种典型电路：DESAT引脚内部有充电电流源，外接消隐电容到COM，再通过限流电阻、高压二极管连接IGBT集电极。
高压二极管的阳极朝DESAT，阴极朝集电极。
当IGBT已经正常导通、VCE较低时，电流源的电流可以经二极管流向集电极，DESAT端电压被限制在VCE加上检测路径压降附近。
而当IGBT短路时，VCE变高，DESAT引脚的电流源电流无法流入集电极，而是改为给CBLK充电，因此DESAT的端电压升高，当到达一定的阈值时，驱动器认为发生了短路。
当IGBT关断、集电极处于高电压时，二极管反偏，隔开高压侧；驱动器通常会在关断状态禁用检测，并把消隐电容放电复位。具体以所选芯片为准。
有些驱动器DESAT阈值是9V，等于VCE达到9V就动作吗？
不一定。比较器看到的是DESAT引脚电压，这与VCE之间还隔着二极管和电阻。
按上述简化电路，在检测二极管导通时：
VDESAT≈VCE+VF+ICHG×R。
所以对应的集电极电压判据近似为：
VCE,trip≈VTH,DESAT−VF−ICHG×R。
假设阈值为9V，二极管在实际检测电流下压降0.7V，电阻压降0.1V，对应VCE约8.2V。
这些是假设数字，只说明引脚阈值与VCE阈值的区别。实际还要考虑二极管压降随温度、电流变化，以及比较器和电流源的容差。
因此，多串二极管或修改检测网络，也可能改变实际动作条件，不能只当作“增加一点保护”而忽略阈值变化。
刚开通时VCE本来就高，为什么不会误报？
IGBT收到开通命令后，需要经历驱动延迟、栅极充电和集电极电压下降。刚开始的VCE本来就可能接近母线电压。
如果立刻按VCE高判断短路，每次正常开通都可能触发故障。因此，DESAT电路需要消隐时间，给正常开通过程留出窗口。
一种常见做法，是先设置内部前沿消隐，再用电流源给外部电容充电，形成额外的检测延迟。不同驱动器的时序不一样，不一定能把所有参数机械地相加。
当检测二极管不能钳住DESAT电压，忽略泄漏与寄生耦合，电容从V0充到VTH的时间约为：
tcharge≈CBLK×(VTH−V0)/ICHG。
假设CBLK为100pF、电压变化9V、充电电流500μA，对应约1.8μs。
这个时间只是电容充电部分。故障确认、传播以及后续软关断仍然需要时间。
另外CBLK电容加大，可能减少短脉冲干扰造成的误动作，但也会延长某些故障条件下的响应。
如果本来是高dv/dt经二极管结电容、长走线或不合理接地耦合进来的噪声，单纯加大电容可能只是把检测变慢。
应同时检查：DESAT走线与开关节点的耦合、二极管反向耐压与结电容、钳位网络、COM参考以及真实开通时间。