HI All
我量測NB685A ，我們的板子的SW SW在rise時spik的最大值與VIN(12V)很相近
但我量測NB685A EVM就很spik就明顯大於VIN ，我了解SW波型與lyaout和BST電阻
VCC電容有關，但為什麼差距這麼大?
Layout 我們是照datasheet
量測條件
VIN=12
VOUT=1.2V
IOUT=12A
FSW=700K
L=0.68u
BST電阻2.2 ohm
BST 電容0.22u
VCC=1u
都是用彈簧針量測，都沒有加snubber線路
EVM與我們板子測試條件一樣
請問是否有潛在的風險?
你好。Demo板BST电阻应该是0ohm的，你把你的设计BST改成0ohm波形应该差不多。感谢对MPS产品的支持。
HI Lori.Lu
實驗一.Demo板 BST電阻我有改成2.2 ohm，波型還是跟我們的板有差距
實驗二.我們的板子BST電阻改成0 ohm, 波型還是有差距
那可以再检查下BST到SW pin的走线回路，是不是有过孔或者走线过长过细，引入了比较大寄存电阻和寄生电感。可以对比测试下效率，如果差别不大也没有什么问题。
Hi Lori.Lu
感謝你的回答
下圖是layout
是的 ，我的板子效率較差一點，但主要是我們電感 DCR較大
目前我司懷疑是NB685A內部gate driver有關和SW loop 和VIN loop比較短
