您好！PWM波形有比较大的Ring，上管导通异常，请问12V输入除了管脚旁边的6个过孔还有其他的过孔吗？从波形来看，板子导致的寄生参数比较大，12V的平台有较大波动。请问您是否可以直接在NB679输入陶瓷电容C100两端，供直流电源12V来验证是否为过孔限流导致的波形异常。
电解电容的容值目前用多大的呢？板上NB679输入端是否有其他容量的陶瓷电容？
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12V输入管教旁边的7个过孔，只是打了一个通孔，底层和bottom层没有网络。电解电容100uF/50V，板上还有一个0.1uF的陶瓷电容并联，测试过程中，我还加了两个0.01uF的陶瓷电容并上去。
还有一个小问题咨询一下，EN内部是不是有电容电阻网络，计算电阻分压的时候，不是单纯的两个电阻分压的电压
能电话或者邮箱请教吗？邮箱：yuzh0116@163.com
还有其他的调试思路吗
您好，从您的图来看VIN的纹波就已经非常大了，建议：
（1）在图中C100电容位置并联两个22uF/50V的陶瓷电容把输入纹波滤平。
（2）还可以尝试在陶瓷电容两端直接供+12V直流电源，查看SW的PWM波形。
（3）检查BST电阻电容是否虚焊
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1、之前并联的电容是100uF电解电容，1个22uF陶瓷电容，4个0.1uF陶瓷电容。按照你的建议，增加了2个22uF的陶瓷电容，依然有输入纹波，我理解的是应该不是输入纹波导致带载能力差；
2、我前面给出的SW的PWM波形就是在陶瓷电容两端直供12V直流电源（通过飞线）；
3、BST电阻电容有取下，重新焊接过，并且电阻换过0欧和49欧等不同的阻值，不知道更换电容是否有效果，有待测试
由Buck基本原理可知，SW的高电平约等于VIN电压，就算是带8A负载，压差也只有0.26V左右。
您图中SW高电平已经有1V的压差，需要核实：
（1）上管电阻阻抗是否正常（板子散热条件如何？芯片温度是否在70度以内？如果板子散热条件较差，也会导致MOSFET阻抗增加）
（2）电感是否饱和？（电感饱和导致电感电流过冲至Ilimit最大值附近，ILmax=8A*1.3倍=10.4A，需要选择饱和电流大于10.4A的1.5uH电感）
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发热确实挺大的，这种封装的器件，关于散热有什么推荐的吗，还有EN管脚的分压问题，麻烦看一下
跟EN没有关系，散热与板材和铜箔厚度有关。PCB的GND过孔不够散热也会被限制。
我不是说带载能力和EN有关，而是咨询另一个问题，EN的设定电压，不是单纯通过两个电阻分压计算而来。
关于带载能力，确实我这边测试发热比较严重，我刚才给芯片加了散热片，然后旁边加一个风扇吹，可以跑到8A的，9A的话，就带不动
关于NB679的热保护，是不是可以理解为过热就会保护关断，当温度降下来后，就会重新开启软启动，然后重新工作。那么此时如果是由于NB679过热导致带载（8A带不动），应该是关断一段时间，待芯片冷却后，重新正常工作。是这样理解的吗
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您好，NB679的热保护是可以自恢复的，当芯片结温温度下降至115度左右后，芯片会再输出负载需要的功率。NB679仅支持持续8A负载输出，不能持续带9A负载，规格书中描述的10A峰值电流是瞬时的电流，需要依靠PCB板与散热器进行散热才可能实现瞬时的10A峰值带载。
NB679过温保护波形与自恢复波形如下：
关于EN分压设置问题，NB679内部是没有EN分压电阻的，直接通过外部电阻进行分压计算。按照如下公式计算，满足NB679规格书中要求的使能电压阈值或直接进行EN上拉至VIN时，EN管脚需要限流要求即可。
关于两个电阻取分压电压时，我这边实测电压是这样的。1M上拉，280K下来：1、9V输入时，分压为1.416V；2、12V输入时，分压为1.885V；3、24V输入时，分压为3.772V。测试下来不是纯电阻的分压效果，请问内部的这个齐纳二极管的齐纳电压是多少。
按照pull-up方式，只有一个上拉电阻，那么EN处的电压是多少？