最近看了贵司不少DCDC EMC相关的资料，受益匪浅，减小di/dt（H）对外辐射一般是减小环路面积，手段一般是将输入电容与Vin靠的越近越好，中间相邻层GND与功率器件、IC层的叠层厚度越薄越好；
但dv/dt（类似于DCDC的SW）是属于电场（E）辐射，它一般是通过叠层对外辐射，叠层厚度越小，对外辐射越强，是否需要将SW信号的正下方的铜皮挖空还是保留完整的铜皮？ 谢谢。
最近看了贵司不少DCDC EMC相关的资料，受益匪浅，减小di/dt（H）对外辐射一般是减小环路面积，手段一般是将输入电容与Vin靠的越近越好，中间相邻层GND与功率器件、IC层的叠层厚度越薄越好；
但dv/dt（类似于DCDC的SW）是属于电场（E）辐射，它一般是通过叠层对外辐射，叠层厚度越小，对外辐射越强，是否需要将SW信号的正下方的铜皮挖空还是保留完整的铜皮？ 谢谢。