MPS第四届电源EMI分析与优化设计研讨会如期举办，本期研讨会同样特别邀请到了EMI大牛王硕教授及李一鸣博士前来，与大家分享EMI分析与优化设计等相关话题的最新研究成果。
王硕教授的演讲以反激变换器为例，介绍了基于辐射电磁干扰诊断的高频共模电压，高频共模电流和阻抗的测量技术。
一鸣博士的分享基于传输线理论，对高频传导EMI进行了建模分析，解释了高频谐振峰的由来，并介绍了实际中的解决方案。
直播吸引了数百位电子工程师的关注，过程中互动热烈，我们也特别筛选了一些精华问答分享如下。
如果您在回顾视频的过程中有任何技术问题，也欢迎随时前来延续讨论 
业界大牛又来讲课了，开心 
哈哈是的，期待！！
EMI一直是困扰工程师的难题，已报名坐等开课！
报名了！坐等大咖开讲
倒计时3天！
不见不散！！
真是太期待了呢
Q: RC滤波怎么计算滤波频率
A: C的交流阻抗为1/jwC，可以用这个式子推导出RC网络的传递函数，进而得到频率；先算RC的截止频率，然后以-20dB/dec的衰减能力来计算其滤波特性。
Q: 有的电源全金属外壳，这样的电源看起来是被完全屏蔽了，为什么辐射仍然很差？
A: 好问题，除了屏蔽之外，电源也可能通过输入输出线辐射出去。这个解决方法是尽可能的减小输入输出（地）之间的阻抗。具体可参考去年的分享：https://mp.weixin.qq.com/s/bkOYVab9akE_Alxsfhophw
Q: 是不是开关频率越大，越容易受到EMI的干扰
A: 如果是相同的拓扑，那么开关频率上升的确可能引起EMI问题严重。因为其辐射效应会更厉害一点，且若开关频率高到150kHz以上，其开关频率噪声就会进入LISN可测量范围之内。但是有些软开关拓扑，相较于硬开关拓扑，虽然频率高了，但是其SW节点dv/dt；远小于硬开关拓扑，结果他的EMI反而会好很多
Q: 传导接地测试的时候，LN两项差异很大，可能的原因有哪些？
A: 有可能你的L/N线上阻抗比较大，噪声电流从主要一边走。（可以试着在输入上加个X-Cap去平衡下？）
Q: 新一代的MOS结电容和Qg都很小，EMI都相对比较差一点，做物料替代不容易，有什么好的解决办法？
A: 新一代MOS导致EMI变差，可能是其开关速度变快，导致dv/dt, di/dt上升。可以尝试增加门级驱动电阻，或是给MOS并联pF级电容，延缓开关速度，降低EMI
Q: 变压器对铁氧体的要求？
A: 一般高频应用（>100kHz),会对变压器变压器磁芯有要求，例如要使用PC44，PC95/96的磁材。否则其铁损会很大
Q: 对EMI来讲，初级的功率地与信号地到底要不要完全分开单点接到大电容，这样分开后从功率级采样的信号干扰也比较大？
A: 对EMI来讲，完全分开可能影响不大。但对于信号干扰意义是重大的，还是建议分开接地
Q: 同轴电缆套上磁环，为什么对差分信号没影响。屏蔽层的内层和外层电路不一样吗
A: 磁环相当于一个共模电感，差分信号不会受到影响的。
Q: 两个独立的源，产生同频的辐射干扰，最终会相互抵消一部分还是会相互叠加
A: 这个要看，都有可能。和源的距离，接收器相对于源的位置，源的信号同相或者反相都有关系。但至少辐射强度不会超过2倍也即6dB。
Q: 散热器接地与否对EMC有影响吗？
A: 散热器接地之后有一定的屏蔽作用，一般来说对EMI是有影响的。般推荐原边MOS散热器对原边地接地，可通过MOS与散热器间的寄生电容，将噪声立刻引入原边地，把噪声就地形成环路
Q: 我看到陈为老师有讲一些变压器结构容和CM贡献容的测量和计算
A: 变压器对于共模的影响是可以通过理论计算得到的。这个学术界已经有相当多相关的文献。我们去年的也简单提到了一些，如果您对于这个问题很感兴趣，也可以参考我们的论文。（Y. Li, H. Zhang, S. Wang, H. Sheng, C. P. Chng and S. Lakshmikanthan, Investigating Switching Transformers for Common Mode EMI Reduction to Remove Common Mode EMI Filters and Y Capacitors in Flyback Converters in?IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 6, no. 4, pp. 2287-2301, Dec. 2018）
Q: 在分析EMC问题时如何确定耦合干扰的来源？
A: 耦合往往意味着失效。这个具体问题要具体排除，一般来说，当您发现一个滤波器没有起到所期待的作用，就会怀疑是否有耦合存在使其失效。可以在空间上通过对于怀疑的dv/dt节点、di/dt环路进行屏蔽来验证是否是这个问题。