【2025电源模块创意大赛】固态硬盘核心供电解决方案-(1)作品提交(开篇)

前情提要:本文为固态硬盘核心供电解决方案作品的第一篇文章,主要介绍了常见硬盘种类(HDD/SSD/Enterprise SSD),以及SSD内部核心组件,了解SSD基础概念后方便后续理解电源设计思路和方案。

一)什么是固态硬盘(SSD)?

在如今这个数据爆炸的时代,存储设备的性能对我们的数字生活有着极大的影响。从开机速度到游戏加载时长,从文件传输快慢到软件响应速度,存储设备都扮演着关键角色。而固态硬盘(SSD,Solid State Drive),广泛应用于 PC、笔记本、服务器等各种设备中,成为现代存储的主流选择。

市面上的存储设备,分为机械硬盘(HDD)和固态硬盘(SDD),以及比较少接触到的企业级固态硬盘(Enterprise SSD).

:right_arrow: HDD:依赖物理机械结构的存储设备,通过 “盘片高速转动 + 磁头移动” 读写数据(类似 CD/DVD 播放器),特点是容量大(单盘常见 2TB-24TB)、成本低、速度慢、怕震动。常见HDD生产厂商如西部数据、希捷、东芝等。

:right_arrow: SDD:无机械运动部件的存储设备,通过 NAND 闪存芯片(类似 U 盘的存储介质)和主控芯片实现数据读写。

核心特点:速度快(读写速度通常是机械硬盘的 5-10 倍)、噪音低(无盘片转动声)、抗震动(无精密机械结构)、体积小(常见 2.5 英寸或 M.2 长条型)。

常见类型:消费级为主,比如电脑里的 M.2 NVMe SSD、SATA SSD,用于个人日常存储、游戏、办公等场景。

常见SSD生产厂商如三星、铠侠、SK海力士,国内有慧荣、群联。

:right_arrow: Enterprise SSD:针对企业级场景优化的 SSD,是消费级 SSD 的 “强化版”,核心目标是满足 “7×24 小时连续运行”“高并发读写”“数据零丢失” 等严苛需求,在消费级SSD的基础上增加特殊功能,如,多掉电数据保护、命名空间、带外管理、TRIM操作、端到端数据保护等。

常见Enterprise SSD生产厂商如三星、镁光、SK海力士,国内有大普微、忆联、忆恒创源等。

SSD以半导体存储数据,用纯电子电路实现,不含任何机械设备,这就决定了它在性能、功耗、可靠性等方面具备独特优势。SSD内部构造比较简单,从硬件角度看,划分为以下几部分:

  • SSD控制器

  • NAND闪存

  • DRAM缓存

  • PLP调节器+PLP电容

  • 电源模块

  • 接口连接器

Enterprise SSD 内部构造图:

Enterprise SSD 实物图:

二)SSD核心组件解析

1. 主控芯片:SSD 的 “大脑”

主控芯片在 SSD 中扮演着至关重要的角色,它就如同电脑的 CPU,是 SSD 的核心控制单元。主控芯片负责管理 SSD 的各项操作,包括数据的读写调度、闪存颗粒的管理、磨损均衡算法的执行以及垃圾回收机制的运作等。可以说,一款 SSD 的性能、稳定性和寿命在很大程度上取决于主控芯片的优劣。

从工作原理来看,主控芯片通过与计算机系统的接口接收数据读写指令,然后将这些指令转化为对闪存颗粒的具体操作。在数据写入过程中,主控芯片会对数据进行编码和校验,确保数据准确无误地存储到闪存颗粒中;同时,它还会根据闪存颗粒的使用情况,合理分配写入位置,以实现磨损均衡,延长闪存颗粒的使用寿命。在数据读取时,主控芯片则负责快速准确地从闪存颗粒中读取数据,并进行解码和纠错,将正确的数据返回给计算机系统。

2. NAND 闪存颗粒:存储数据的核心单元

NAND 闪存颗粒是 SSD 存储数据的核心,它就像是一个巨大的仓库,所有的数据都存储在这个仓库的一个个小格子里。这些小格子被称为存储单元,每个存储单元通过浮栅晶体管来记录电荷状态,以此来表示数据 “0” 和 “1”。

根据每个存储单元存储数据位数的不同,NAND 闪存颗粒可分为 SLC(Single-Level Cell,单层次存储单元)、MLC(Multi-Level Cell,双层存储单元)、TLC(Trinary-Level Cell,三层存储单元)和 QLC(Quad-Level Cell,四层存储单元)。

3. DRAM缓存:高数数据中转站

DRAM 缓存,全称动态随机存取存储器缓存,它是一种高速的临时存储区域,在主控和NAND之间承接数据中转的功能。

数据缓存:当接收主机读写指令时,DRAM 就像是一个敏捷的快递分拣员,先将数据缓存至自己这里,然后再批量写入 / 读取 NAND。这样做可以减少颗粒直接操作频率,大大提高数据处理效率。

地址映射:DRAM 还充当着地址映射引擎的角色,它存储着 FTL 映射表,实现逻辑地址到物理地址的微秒级转换。当你要读取一个文件时,DRAM 通过 FTL 映射表,瞬间就能找到该文件在 NAND 闪存中的具体物理地址,快速将文件数据读取出来。

4. 电源模块

SSD 内部电源模块是保障其核心组件稳定运行的 “能量中枢”,核心作用是将外部输入电压(如 SATA 的 5V、PCIe 的 12V/3.3V)转换为 SSD 主控、NAND 闪存、DRAM(若有)等元件所需的特定低压,同时确保电压稳定、功耗可控。

5. PLP掉电保护

在 SSD 的稳定运行中,PLP 掉电保护技术是保障数据安全的最后一道防线。

PLP,即掉电保护(Power Loss Protection)技术,它的主要作用是在系统突发断电时,确保 SSD 中的数据不丢失、不损坏。假设服务器正在高速运行处理重要数据,如果突然遭遇断电,而没有 PLP 掉电保护技术,那么正在处理和存储的数据可能会丢失,这将给企业带来巨大的损失。

计算机生成了可选文字: 延长保持时间以写入NAND 田 外部电源 无PLP 有PLP 时间(毫秒)

电压监测:PLP内置电压监测功能,一旦输入电压骤降至临界值,比如低于10V,则迅速触发PLP断电保护,这样的快速响应,为后续的数据抢救工作争取了宝贵的时间。​

应急储能:为了在断电后给数据转移提供足够的电力支持,SSD 采用了钽电容或超级电容作为储能电源。这些电容平时储存着能量,当断电发生时,它们能瞬间释放储能,为 SSD 提供 ms级别持续供电。在这短暂的时间里,数据能够从 DRAM 缓存转移到 NAND 闪存中,确保数据不会因为断电而丢失。

三)SSD供电设计核心要点

SSD的电源设计是确保其稳定运行、高效功耗控制及数据可靠性的核心环节,根据接口类型、内部芯片需求及应用场景,实现从外部输入电压到内部多模块的精准供电。

特别是高性能 NVMe SSD对供电要求极为严苛,其供电解决方案直接关系到性能稳定性、数据可靠性、设备寿命以及整个系统的健壮性。

计算机生成了可选文字: EnterpriseSSD(PCIe&SAS) PowerBackup HotSwap Supervisory Supervisory SSD Controller PowerManagement dSwitch NANDFlash DC/DCStep-Down DC/DCStep-up DRAM

核心设计要点:

1. 高功率密度与峰值功耗: NVMe SSD(尤其是 PCIe Gen4/Gen5)在持续读写或混合负载时功耗显著增加(可达 20-35W),且在毫秒级时间内可能出现短时峰值功耗。

2. 严格的电压容差: SSD 的核心电压(如 0.8V, 1.2V, 2.5V)允许的波动范围非常小(通常 ±3% 或更严格),电压跌落或过冲可能导致 SSD 复位、性能下降、数据错误。

3. 动态负载响应: SSD 的工作负载变化极快(从空闲到突发读写),要求供电系统能快速响应负载瞬变,维持电压稳定。

4. 多电压轨需求: 一个 SSD 通常需要多个独立的电压轨(VCC, VCCQ, VPP 等),为不同功能模块(NAND 闪存、控制器、DRAM 等)供电,且各有不同的电流和纹波要求。

5. 备用电源需求: SSD的掉电保护功能,需要在正常供电时将能量存储在电容器中。而在电源故障情况下,它能将能量从存储的能量进行升压或降压传输至总线电压线,以确保系统能够获得稳定的备用电源。

因此可见,可靠且稳定的电源设计是SSD稳定工作的前提,在电源模块选型时要充分考虑电源的特性